CMD3080M
IC
TO-252
可供量大可议
CMD3080M
3080M采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。 3080M符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩测试（EAS）， 具备全面的功能可靠性认证
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
60
货期
现货
CMD3080M参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
CMD3080M概述
3080M采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。 3080M符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩测试（EAS）， 具备全面的功能可靠性认证
CMD3080M特性
暂无产品特性。
CMD3080M应用领域
暂无应用领域。