CMD16N25
IC
TO-252
可供量大可议
CMD16N25
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
Brand
Cmos
Package
TO-252
Stock
90
货期
现货
CMD16N25Parameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
CMD16N25概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
CMD16N25特性
暂无产品特性。
CMD16N25应用领域
暂无应用领域。