CMD12P10S
IC
TO-252
可供量大可议
CMD12P10S
12P10S采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
150
货期
现货
CMD12P10S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
CMD12P10S概述
12P10S采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
CMD12P10S特性
暂无产品特性。
CMD12P10S应用领域
暂无应用领域。