CMD100N03B
IC
TO-252
可供量大可议
CMD100N03B
100N03B采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于多种应用场景。
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
170
货期
现货
CMD100N03B参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
CMD100N03B概述
100N03B采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 该器件适用于多种应用场景。
CMD100N03B特性
暂无产品特性。
CMD100N03B应用领域
暂无应用领域。