CMD04N03D
IC
TO-252
可供量大可议
CMD04N03D
04N03D采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它具备静电放电（ESD）保护功能。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
品牌
Cmos
封装
TO-252
库存
200
货期
现货
CMD04N03D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
CMD04N03D概述
04N03D采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它具备静电放电（ESD）保护功能。 这些器件特别适用于低压应用， 如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
CMD04N03D特性
暂无产品特性。
CMD04N03D应用领域
暂无应用领域。