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CMD035N06
IC

TO-252

可供量大可议

CMD035N06

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并最大程度降低功率转换应用的损耗。

品牌

Cmos

封装

TO-252

库存

3

货期

现货

CMD035N06参数

封装TO-252
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

CMD035N06概述

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并最大程度降低功率转换应用的损耗。

CMD035N06特性

暂无产品特性。

CMD035N06应用领域

暂无应用领域。

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