CMB18N20A
IC
TO-263
可供量大可议
CMB18N20A
CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于各种不同的领域。
品牌
Cmos
封装
TO-263
库存
6,362
货期
现货
CMB18N20A参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6362 |
CMB18N20A概述
CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于各种不同的领域。
CMB18N20A特性
暂无产品特性。
CMB18N20A应用领域
暂无应用领域。