CMB180N06
IC
TO-263
可供量大可议
CMB180N06
180N06采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
品牌
Cmos
封装
TO-263
库存
145
货期
现货
CMB180N06参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
CMB180N06概述
180N06采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。
CMB180N06特性
暂无产品特性。
CMB180N06应用领域
暂无应用领域。