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CMB16N25
IC

TO-263

可供量大可议

CMB16N25

采用先进的平面条纹 DMOS 技术和设计, 以提供出色的 RDS(ON)。 适用于高效开关 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源的 DC-AC 转换器和电机控制。

品牌

Cmos

封装

TO-263

库存

50

货期

现货

CMB16N25参数

封装TO-263
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)250V
耗散功率(Pd)140W
栅极电荷量(Qg)40nC
反向传输电容(Crss)55pF
类型N沟道
商品名称1个N沟道 耐压:250V 电流:16A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存50
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))245mΩ
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)1.2nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)170pF
商品型号CMB16N25
单位个
商品重量0.001674

CMB16N25概述

16N25采用先进的平面条形DMOS技术和设计, 以提供出色的RDS(ON)。 这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源的DC - AC转换器以及电机控制。

CMB16N25特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

CMB16N25应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)-PWM电机控制-DC-DC转换器

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