CMB110P06
IC
TO-263
可供量大可议
CMB110P06
CMB110P06采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于各种其他应用。
品牌
Cmos
封装
TO-263
库存
62
货期
现货
CMB110P06参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 62 |
CMB110P06概述
CMB110P06采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 适用于各种其他应用。
CMB110P06特性
暂无产品特性。
CMB110P06应用领域
暂无应用领域。