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CMB035N06
IC

TO-263

可供量大可议

CMB035N06

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

品牌

Cmos

封装

TO-263

库存

47

货期

现货

CMB035N06参数

封装TO-263
品牌Cmos(广东场效应半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

CMB035N06概述

采用先进的沟槽技术, 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷, 并最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

CMB035N06特性

暂无产品特性。

CMB035N06应用领域

暂无应用领域。

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