CMA28N50
IC
TO-3P
可供量大可议
CMA28N50
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
品牌
Cmos
封装
TO-3P
库存
75
货期
现货
CMA28N50参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
CMA28N50概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正
CMA28N50特性
暂无产品特性。
CMA28N50应用领域
暂无应用领域。