CMA20N50
IC
TO-3P
可供量大可议
CMA20N50
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造， 该技术经过专门优化， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。
品牌
Cmos
封装
TO-3P
库存
1
货期
现货
CMA20N50参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | Cmos(广东场效应半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
CMA20N50概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造， 该技术经过专门优化， 可将导通电阻降至最低， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因数校正。
CMA20N50特性
暂无产品特性。
CMA20N50应用领域
暂无应用领域。