CL32B475KBUYNWE
IC
1210
可供量大可议
CL32B475KBUYNWE
多层陶瓷电容器:厚度更低, 节省空间。 高抗弯强度电容器:更能抵抗电路板弯曲引起的应力。 低噪声陶瓷电容器:有效降低可听噪声的解决方案。 低ESL电容器:节省空间并实现高速能量传输。 阵列式电容器:降低安装成本和纹波电压
品牌
SAMSUNG
封装
1210
库存
1,942
货期
现货
CL32B475KBUYNWE参数
| 封装 | 1210 |
|---|---|
| 品牌 | SAMSUNG(三星) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) |
|---|---|
| 库存 | 1942 |
CL32B475KBUYNWE概述
多层陶瓷电容器:厚度更低, 节省空间。 高抗弯强度电容器:更能抵抗电路板弯曲引起的应力。 低噪声陶瓷电容器:有效降低可听噪声的解决方案。 低ESL电容器:节省空间并实现高速能量传输。 阵列式电容器:降低安装成本和纹波电压
CL32B475KBUYNWE特性
暂无产品特性。
CL32B475KBUYNWE应用领域
暂无应用领域。