CKC21C333JDGACAUTO

设计用于满足在更高电压、温度和频率下运行的快速开关宽带隙 (WBG) 半导体不断增长的需求。 采用C0G/NPO贱金属电极 (BME) 电介质系统, 适用于功率转换器、逆变器、缓冲器和谐振器等对效率要求较高的应用。 具有极低的有效串联电阻 (ESR) 和非常低的热阻, 可在非常高的纹波电流下运行, 电容随直流电压无变化, 随温度变化可忽略不计。 工作温度为150°C, 可在高功率密度应用中靠近快速开关半导体安装, 所需冷却极少。