CJZM718
IC
DFNWB-8L-EP(2x3)
可供量大可议
CJZM718
特性：高直流电流增益。 低阈值。 小封装DFNWB3x2-8L。 封装内独立包含一个晶体管和一个MOSFET。 应用：充电电路。 便携式设备中的其他电源管理
品牌
CJ
封装
DFNWB-8L-EP(2x3)
库存
2,915
货期
现货
CJZM718参数
| 封装 | DFNWB-8L-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2915 |
CJZM718概述
特性：高直流电流增益。 低阈值。 小封装DFNWB3x2-8L。 封装内独立包含一个晶体管和一个MOSFET。 应用：充电电路。 便携式设备中的其他电源管理
CJZM718特性
暂无产品特性。
CJZM718应用领域
暂无应用领域。