CJX3139K
IC
SOT-563
可供量大可议
CJX3139K
这款双 P 沟道 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺设计， 以优化导通电阻 RDS(ON)。 该封装内包含两个 P 沟道 CJ3139K MOSFET（相互独立）。
品牌
CJ
封装
SOT-563
库存
285
货期
现货
CJX3139K参数
| 封装 | SOT-563 |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 285 |
CJX3139K概述
这款双 P 沟道 MOSFET 采用先进的功率沟槽工艺设计， 以优化导通电阻 RDS(ON)。 该封装内包含两个 P 沟道 CJ3139K MOSFET（相互独立）。
CJX3139K特性
暂无产品特性。
CJX3139K应用领域
暂无应用领域。