CJU02N60M1
IC
TO-252-2L
可供量大可议
CJU02N60M1
高压MOSFET采用先进的终端方案， 可在不随时间推移而降低性能的情况下增强耐压能力。 此外， 这款先进的MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。 全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管
品牌
CJ
封装
TO-252-2L
库存
1,375
货期
现货
CJU02N60M1参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1375 |
CJU02N60M1概述
高压MOSFET采用先进的终端方案， 可在不随时间推移而降低性能的情况下增强耐压能力。 此外， 这款先进的MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。 全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管
CJU02N60M1特性
暂无产品特性。
CJU02N60M1应用领域
暂无应用领域。