CJCD2007
IC
DFNWB2x3-6L
可供量大可议
CJCD2007
CJCD2007采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它具备静电放电（ESD）保护功能。 该器件采用共漏极配置， 适用于作为单向或双向负载开关
品牌
CJ
封装
DFNWB2x3-6L
库存
1,545
货期
现货
CJCD2007参数
| 封装 | DFNWB2x3-6L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1545 |
CJCD2007概述
CJCD2007采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 它具备静电放电（ESD）保护功能。 该器件采用共漏极配置， 适用于作为单向或双向负载开关
CJCD2007特性
暂无产品特性。
CJCD2007应用领域
暂无应用领域。