CJBA3134K
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
CJBA3134K
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 750mA 1个N沟道
品牌
CJ
封装
DFN1006-3L
库存
14,344
货期
现货
CJBA3134K参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,344 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 输入电容(Ciss) | 120pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
CJBA3134K概述
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 750mA 1个N沟道
CJBA3134K特性
暂无产品特性。
CJBA3134K应用领域
暂无应用领域。