CJAE2002
IC
TDFN-8-EP(3x3)
可供量大可议
CJAE2002
CJAE2002采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷， 具备静电放电（ESD）保护功能。 该器件采用共漏极配置， 适用于作为单向或双向负载开关。
品牌
CJ
封装
TDFN-8-EP(3x3)
库存
2,565
货期
现货
CJAE2002参数
| 封装 | TDFN-8-EP(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2565 |
CJAE2002概述
CJAE2002采用先进的沟槽技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷， 具备静电放电（ESD）保护功能。 该器件采用共漏极配置， 适用于作为单向或双向负载开关。
CJAE2002特性
暂无产品特性。
CJAE2002应用领域
暂无应用领域。