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CJAC90SN12
IC

PDFNWB5x6-8L

可供量大可议

CJAC90SN12

CJAC90SN12采用屏蔽栅沟槽技术和设计, 在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 它可用于多种应用场景。

品牌

CJ

封装

PDFNWB5x6-8L

库存

8,050

货期

现货

CJAC90SN12参数

封装PDFNWB5x6-8L
品牌CJ(江苏长电/长晶)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)120V
耗散功率(Pd)2W
栅极电荷量(Qg)45.2nC
反向传输电容(Crss)7.6pF
分类场效应管(MOSFET)
库存8050
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.4mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)3.67nF

CJAC90SN12概述

场效应管(MOSFET) 2W 120V 90A 1个N沟道

CJAC90SN12特性

暂无产品特性。

CJAC90SN12应用领域

暂无应用领域。

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