CJAC1R3SN04C
IC
PDFNWB5x6-8L
可供量大可议
CJAC1R3SN04C
N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。 这种先进技术经过特别设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
品牌
CJ
封装
PDFNWB5x6-8L
库存
806
货期
现货
CJAC1R3SN04C参数
| 封装 | PDFNWB5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 806 |
CJAC1R3SN04C概述
N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。 这种先进技术经过特别设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。
CJAC1R3SN04C特性
暂无产品特性。
CJAC1R3SN04C应用领域
暂无应用领域。
