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CJAC1R3SN04C
IC

PDFNWB5x6-8L

可供量大可议

CJAC1R3SN04C

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。 这种先进技术经过特别设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。

品牌

CJ

封装

PDFNWB5x6-8L

库存

806

货期

现货

CJAC1R3SN04C参数

封装PDFNWB5x6-8L
品牌CJ(江苏长电/长晶)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存806

CJAC1R3SN04C概述

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。 这种先进技术经过特别设计, 可最大限度地降低导通电阻, 提供卓越的开关性能, 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合高效快速开关应用。

CJAC1R3SN04C特性

暂无产品特性。

CJAC1R3SN04C应用领域

暂无应用领域。

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