CJ3434
自营可供
IC
SOT-23(SOT-23-3)
CJ3434
场效应管(MOSFET) 42mΩ@10V, 5A 30V 5A 1个N沟道
品牌
CJ
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
26+
CJ3434参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | CJ3434 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11,516 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 245pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:5A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.6e-05 |
CJ3434概述
场效应管(MOSFET) 42mΩ@10V, 5A 30V 5A 1个N沟道
CJ3434特性
- TrenchFET功率MOSFET-低RDS(ON)-典型ESD保护
CJ3434应用领域
- 非常适合负载开关和电池保护应用