CJ3139KDW
IC
SOT-363
可供量大可议
CJ3139KDW
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计， 以优化导通电阻。 封装内包含两个P沟道MOSFET（相互独立）。
品牌
CJ
封装
SOT-363
库存
1,670
货期
现货
CJ3139KDW参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1670 |
CJ3139KDW概述
这款双P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计， 以优化导通电阻。 封装内包含两个P沟道MOSFET（相互独立）。
CJ3139KDW特性
暂无产品特性。
CJ3139KDW应用领域
暂无应用领域。