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CJ1012 C
IC

SOT-523-3

可供量大可议

CJ1012 C

这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计, 以优化导通电阻Rds(on)。

品牌

CJ

封装

SOT-523-3

库存

2,000

货期

现货

CJ1012 C参数

封装SOT-523-3
品牌CJ(江苏长电/长晶)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存2000

CJ1012 C概述

这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计, 以优化导通电阻Rds(on)。

CJ1012 C特性

暂无产品特性。

CJ1012 C应用领域

暂无应用领域。

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