CG2H40010F

是一种无匹配的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)， 工作在 28 伏电源轨上， 为各种 RF 和微波应用提供通用宽带解决方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽能力， 使其适用于线性和压缩放大器电路。 该晶体管有螺丝固定法兰和焊接封装两种封装形式。