CFN7536N
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
CFN7536N
特性：VDS=30V。 ID=30A。 RDS(on)=4mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=5.1mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.6V。 SGT屏蔽栅沟槽MOSFET技术。 应用：DC-DC转换器、电源转换器、便携式设备电源切换。
品牌
CFXY
封装
DFN-6(2x2)
库存
2,140
货期
现货
CFN7536N参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 商品型号 | CFN7536N |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2140 |
| 商品名称 | CFN7536N |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
CFN7536N概述
特性：VDS=30V。 ID=30A。 RDS(on)=4mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=5.1mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.6V。 SGT屏蔽栅沟槽MOSFET技术。 应用：DC-DC转换器、电源转换器、便携式设备电源切换。
CFN7536N特性
暂无产品特性。
CFN7536N应用领域
暂无应用领域。