CFN6R0N30
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CFN6R0N30
特性：VDS=30V。 ID=48A。 RDS(on)=6mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=9.6mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.7V。 SGT屏蔽栅沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 高电流承载能力。 符合RoHS及无卤要求。 ESD保护。 应用：DC-DC转换器。
品牌
CFXY
封装
DFN-8(3x3)
库存
3,100
货期
现货
CFN6R0N30参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3100 |
CFN6R0N30概述
特性：VDS=30V。 ID=48A。 RDS(on)=6mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=9.6mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.7V。 SGT屏蔽栅沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 高电流承载能力。 符合RoHS及无卤要求。 ESD保护。 应用：DC-DC转换器。
CFN6R0N30特性
暂无产品特性。
CFN6R0N30应用领域
暂无应用领域。