CFN4R5N60
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CFN4R5N60
特性：VDS=60V。 ID=50A。 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=6.2mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.5V。 低导通电阻与低栅极电荷。 ESD保护。 应用：高效电源、二次同步整流器。
品牌
CFXY
封装
DFN-8(5x6)
库存
1,513
货期
现货
CFN4R5N60参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1513 |
CFN4R5N60概述
特性：VDS=60V。 ID=50A。 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=6.2mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.5V。 低导通电阻与低栅极电荷。 ESD保护。 应用：高效电源、二次同步整流器。
CFN4R5N60特性
暂无产品特性。
CFN4R5N60应用领域
暂无应用领域。