CFN35P40
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CFN35P40
特性：VDS=-40V。 ID=-25A。 RDS(on)=30mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=46mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-2V。 沟槽功率MOSFET技术。 低栅极电荷。 高电流承载能力。 符合RoHS 2.0及无卤标准。 应用：负载开关、电池保护。
品牌
CFXY
封装
DFN-8(3x3)
库存
5,000
货期
现货
CFN35P40参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
CFN35P40概述
特性：VDS=-40V。 ID=-25A。 RDS(on)=30mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=46mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-2V。 沟槽功率MOSFET技术。 低栅极电荷。 高电流承载能力。 符合RoHS 2.0及无卤标准。 应用：负载开关、电池保护。
CFN35P40特性
暂无产品特性。
CFN35P40应用领域
暂无应用领域。