CFN2R3N30
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
CFN2R3N30
特性：VDS=30V。 ID=110A。 RDS(on)=2.3mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=4.7mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.5V。 低导通电阻与低栅极电荷。 符合RoHS及无卤标准。 应用：高频开关与同步整流。
品牌
CFXY
封装
DFN-8(5x6)
库存
2,434
货期
现货
CFN2R3N30参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2434 |
CFN2R3N30概述
特性：VDS=30V。 ID=110A。 RDS(on)=2.3mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=4.7mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.5V。 低导通电阻与低栅极电荷。 符合RoHS及无卤标准。 应用：高频开关与同步整流。
CFN2R3N30特性
暂无产品特性。
CFN2R3N30应用领域
暂无应用领域。