CFN21357
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CFN21357
特性：VDS=-30V。 ID=-15A。 RDS(on)=8mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=12mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-1.5V。 沟槽MOSFET技术提供优异导通电阻。 低导通电阻。 符合RoHS及无卤标准。 应用：负载开关。
Brand
CFXY
Package
DFN-8(3x3)
Stock
1,495
货期
现货
CFN21357Parameters
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1495 |
CFN21357概述
特性：VDS=-30V。 ID=-15A。 RDS(on)=8mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=12mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-1.5V。 沟槽MOSFET技术提供优异导通电阻。 低导通电阻。 符合RoHS及无卤标准。 应用：负载开关。
CFN21357特性
暂无产品特性。
CFN21357应用领域
暂无应用领域。