CFN1R5N30
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
CFN1R5N30
特性：VDS=32V。 ID=80A。 RDS(on)=1.7mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=2.7mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.8V。 SGT屏蔽栅沟槽功率MOSFET技术。 ESD保护。 符合RoHS及无卤标准。 应用：负载开关、高电流承载能力、NB电池组的充放电系统、适配器/充电器电源开关。
品牌
CFXY
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
5,000
货期
现货
CFN1R5N30参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5000 |
CFN1R5N30概述
特性：VDS=32V。 ID=80A。 RDS(on)=1.7mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=2.7mΩ@VGS=4.5V。 Vth=1.8V。 SGT屏蔽栅沟槽功率MOSFET技术。 ESD保护。 符合RoHS及无卤标准。 应用：负载开关、高电流承载能力、NB电池组的充放电系统、适配器/充电器电源开关。
CFN1R5N30特性
暂无产品特性。
CFN1R5N30应用领域
暂无应用领域。