CFN02KN20
IC
DFN1006-3L
可供量大可议
CFN02KN20
特性：VDS=20V。 ID=1.1A。 RDS(on)=150mΩ@VGS=4.5V。 RDS(on)=200mΩ@VGS=2.5V。 Vth=0.75V。 DFN1006超小型封装， 厚度低至0.4mm。 沟槽型低压MOSFET技术。 ESD保护。 符合RoHS标准且无卤素。
品牌
CFXY
封装
DFN1006-3L
库存
10,000
货期
现货
CFN02KN20参数
| 封装 | DFN1006-3L |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
CFN02KN20概述
特性：VDS=20V。 ID=1.1A。 RDS(on)=150mΩ@VGS=4.5V。 RDS(on)=200mΩ@VGS=2.5V。 Vth=0.75V。 DFN1006超小型封装， 厚度低至0.4mm。 沟槽型低压MOSFET技术。 ESD保护。 符合RoHS标准且无卤素。
CFN02KN20特性
暂无产品特性。
CFN02KN20应用领域
暂无应用领域。