CFD80N101
IC
TO-252
可供量大可议
CFD80N101
特性：VDS=100V。 ID=14A。 RDS(on)=80mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=113mΩ@VGS=4.5V。 Vth=2.5V。 低栅极电荷。 100%雪崩测试， 抗浪涌冲击能力强。 100%DVDS测试。 高功率与大电流承载能力。 无铅产品。 应用：DC-DC转换器、高频开关与同步整流。
品牌
CFXY
封装
TO-252
库存
1,485
货期
现货
CFD80N101参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1485 |
CFD80N101概述
特性：VDS=100V。 ID=14A。 RDS(on)=80mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=113mΩ@VGS=4.5V。 Vth=2.5V。 低栅极电荷。 100%雪崩测试， 抗浪涌冲击能力强。 100%DVDS测试。 高功率与大电流承载能力。 无铅产品。 应用：DC-DC转换器、高频开关与同步整流。
CFD80N101特性
暂无产品特性。
CFD80N101应用领域
暂无应用领域。