CFD609A
IC
TO-252-4L
可供量大可议
CFD609A
特性：N沟道：VDS=40V。 ID=12A。 RDS(on)=21mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=24mΩ@VGS=4.5V。 Vth=2V。 P沟道：VDS=-40V。 ID=-12A。 RDS(on)=30mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=45mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-1.9V。 沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 符合RoHS及无卤要求。 应用：H桥电路、逆变器。
品牌
CFXY
封装
TO-252-4L
库存
2,500
货期
现货
CFD609A参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
CFD609A概述
特性：N沟道：VDS=40V。 ID=12A。 RDS(on)=21mΩ@VGS=10V。 RDS(on)=24mΩ@VGS=4.5V。 Vth=2V。 P沟道：VDS=-40V。 ID=-12A。 RDS(on)=30mΩ@VGS=-10V。 RDS(on)=45mΩ@VGS=-4.5V。 Vth=-1.9V。 沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 符合RoHS及无卤要求。 应用：H桥电路、逆变器。
CFD609A特性
暂无产品特性。
CFD609A应用领域
暂无应用领域。