CFD100P90
IC
TO-252
可供量大可议
CFD100P90
特性：VDS=-88V。 ID=-20A。 RDS(on)=108mΩ@VGS=-12V。 RDS(on)=120mΩ@VGS=-10V。 Vth=-3.3V。 沟槽MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 DPAK封装优异耐热性。 应用：大电流负载。
品牌
CFXY
封装
TO-252
库存
447
货期
现货
CFD100P90参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | CFXY(创飞芯源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 447 |
CFD100P90概述
特性：VDS=-88V。 ID=-20A。 RDS(on)=108mΩ@VGS=-12V。 RDS(on)=120mΩ@VGS=-10V。 Vth=-3.3V。 沟槽MOSFET技术。 低导通电阻与低栅极电荷。 DPAK封装优异耐热性。 应用：大电流负载。
CFD100P90特性
暂无产品特性。
CFD100P90应用领域
暂无应用领域。