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CEU50N06-VB
IC

TO-252

可供量大可议

CEU50N06-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型场效应晶体管, 采用Trench工艺, 具有较低的导通电阻和较高的性能, 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用, 为相关领域提供了可靠的解决方案。 TO252; N—Channel沟道, 60V; 58A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

3

货期

现货

CEU50N06-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

CEU50N06-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型场效应晶体管, 采用Trench工艺, 具有较低的导通电阻和较高的性能, 适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用, 为相关领域提供了可靠的解决方案。 TO252; N—Channel沟道, 60V; 58A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3V

CEU50N06-VB特性

暂无产品特性。

CEU50N06-VB应用领域

暂无应用领域。

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