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CEH2288-VB
IC

TSOP-6

可供量大可议

CEH2288-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款是双N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于需要高效功率管理和电路控制的领域, 尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。 SOT23-6; 2个N—Channel沟道, 20V; 6A; RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1.5V

品牌

VBsemi

封装

TSOP-6

库存

90

货期

现货

CEH2288-VB参数

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存90

CEH2288-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款是双N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于需要高效功率管理和电路控制的领域, 尤其适用于要求小尺寸和高性能的模块。 SOT23-6; 2个N—Channel沟道, 20V; 6A; RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.5~1.5V

CEH2288-VB特性

暂无产品特性。

CEH2288-VB应用领域

暂无应用领域。

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