CEC3172
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CEC3172
特性：30V, 26A, RDS(ON) = 20mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 32mΩ @ VGS = 4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅电镀， 符合RoHS标准
品牌
CET
封装
DFN-8(3x3)
库存
2
货期
现货
CEC3172参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CET(华瑞) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
CEC3172概述
特性：30V, 26A, RDS(ON) = 20mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 32mΩ @ VGS = 4.5V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅电镀， 符合RoHS标准
CEC3172特性
暂无产品特性。
CEC3172应用领域
暂无应用领域。