CEC2088E
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
CEC2088E
特性：20V， 36A， RDS(ON) = 9mΩ @VGS = 4.5V； RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 2.5V； RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 1.8V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 ESD保护：2000V
Brand
CET
Package
DFN-8(3x3)
Stock
20
货期
现货
CEC2088EParameters
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | CET(华瑞) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
CEC2088E概述
特性：20V， 36A， RDS(ON) = 9mΩ @VGS = 4.5V； RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 2.5V； RDS(ON) = 16mΩ @VGS = 1.8V。 超高密度单元设计， 实现极低的RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。 无铅电镀， 符合RoHS标准。 ESD保护：2000V
CEC2088E特性
暂无产品特性。
CEC2088E应用领域
暂无应用领域。