CEB60N06G-VB
IC
D2PAK(TO-263)
可供量大可议
CEB60N06G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
D2PAK(TO-263)
库存
24
货期
现货
CEB60N06G-VB参数
| 封装 | D2PAK(TO-263) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
CEB60N06G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。 TO263； N—Channel沟道, 60V； 120A； RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
CEB60N06G-VB特性
暂无产品特性。
CEB60N06G-VB应用领域
暂无应用领域。