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CEA6426-VB
IC

SOT-89

可供量大可议

CEA6426-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3; N—Channel沟道, 60V; 5.5A; RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

品牌

VBsemi

封装

SOT-89

库存

280

货期

现货

CEA6426-VB参数

封装SOT-89
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存280

CEA6426-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3; N—Channel沟道, 60V; 5.5A; RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~3V

CEA6426-VB特性

暂无产品特性。

CEA6426-VB应用领域

暂无应用领域。

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