CEA3055-VB
IC
SOT-89
可供量大可议
CEA3055-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和电源模块。 SOT89-3； N—Channel沟道, 60V； 8A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
50
货期
现货
CEA3055-VB参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 商品型号 | CEA3055-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00012 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
CEA3055-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和电源模块。 SOT89-3； N—Channel沟道, 60V； 8A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
CEA3055-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 最高结温 175 °C
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
CEA3055-VB应用领域
暂无应用领域。