DFN-6(1x1.2)
CDDFN6-3312P
CDDFN6 - 3312P型号器件可为高速数据端口提供静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)保护, 符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)要求。 该瞬态电压抑制器阵列可保护多达两条数据线, 工作峰值反向电压为3.3 V, 最小击穿电压为4.5 V。 采用DFN6封装的器件在输入/输出(I/O)线之间的典型电容超低, 仅为0.04 pF。 这使其可用于保护高速接口上的敏感元件。 该器件尺寸小巧, 可在印刷电路板(PCB)上进行直插式布线, 有助于保持高速数据线的匹配阻抗。 Bourns CDDFN6 - 3312P型号专为保护高速数据端口免受ESD瞬变影响而设计。 对于如HDMI 2.1等高于12 Gbps的高速端口, 保持信号线阻抗是一项关键要求。 采用“直插式”布局的DFN6封装可使高速数据线上的阻抗变化降至最低, 而该器件的超低电容性能可限制每个通道上的信号衰减。
品牌
BOURNS
封装
DFN-6(1x1.2)
库存
96
货期
现货
CDDFN6-3312P参数
| 封装 | DFN-6(1x1.2) |
|---|---|
| 品牌 | BOURNS |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
CDDFN6-3312P概述
CDDFN6 - 3312P型号器件可为高速数据端口提供静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)保护, 符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)要求。 该瞬态电压抑制器阵列可保护多达两条数据线, 工作峰值反向电压为3.3 V, 最小击穿电压为4.5 V。 采用DFN6封装的器件在输入/输出(I/O)线之间的典型电容超低, 仅为0.04 pF。 这使其可用于保护高速接口上的敏感元件。 该器件尺寸小巧, 可在印刷电路板(PCB)上进行直插式布线, 有助于保持高速数据线的匹配阻抗。 Bourns CDDFN6 - 3312P型号专为保护高速数据端口免受ESD瞬变影响而设计。 对于如HDMI 2.1等高于12 Gbps的高速端口, 保持信号线阻抗是一项关键要求。 采用“直插式”布局的DFN6封装可使高速数据线上的阻抗变化降至最低, 而该器件的超低电容性能可限制每个通道上的信号衰减。
CDDFN6-3312P特性
暂无产品特性。
CDDFN6-3312P应用领域
暂无应用领域。
