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CD214B-F3600-HXY
IC

SMB

可供量大可议

CD214B-F3600-HXY

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达600V。 其正向压降典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能够有效提升系统整体效率并保障运行稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

35

货期

现货

CD214B-F3600-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存35

CD214B-F3600-HXY概述

该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达600V。 其正向压降典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能够有效提升系统整体效率并保障运行稳定性。

CD214B-F3600-HXY特性

暂无产品特性。

CD214B-F3600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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