CD214B-F3600-HXY
IC
SMB
可供量大可议
CD214B-F3600-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达600V。 其正向压降典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能够有效提升系统整体效率并保障运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
35
货期
现货
CD214B-F3600-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
CD214B-F3600-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达600V。 其正向压降典型值为1.7V, 在导通状态下具有较低的功耗; 反向漏电流仅为5μA, 表现出优异的阻断特性。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换与整流场合, 能够有效提升系统整体效率并保障运行稳定性。
CD214B-F3600-HXY特性
暂无产品特性。
CD214B-F3600-HXY应用领域
暂无应用领域。
