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CBR08C101J1GAC
IC

0805

可供量大可议

CBR08C101J1GAC

采用铜电极BME(贱金属电极)系统, 在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。 低ESR允许更高的RF电流, 适用于蜂窝基站和电信网络等应用。 电容值随时间和电压无变化, 且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。

品牌

KEMET

封装

0805

库存

7

货期

现货

CBR08C101J1GAC参数

封装0805
品牌KEMET(基美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类贴片电容(MLCC)
库存7

CBR08C101J1GAC概述

采用铜电极BME(贱金属电极)系统, 在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。 低ESR允许更高的RF电流, 适用于蜂窝基站和电信网络等应用。 电容值随时间和电压无变化, 且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。

CBR08C101J1GAC特性

暂无产品特性。

CBR08C101J1GAC应用领域

暂无应用领域。

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