CBR08C101J1GAC
IC
0805
可供量大可议
CBR08C101J1GAC
采用铜电极BME(贱金属电极)系统, 在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。 低ESR允许更高的RF电流, 适用于蜂窝基站和电信网络等应用。 电容值随时间和电压无变化, 且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。
品牌
KEMET
封装
0805
库存
7
货期
现货
CBR08C101J1GAC参数
| 封装 | 0805 |
|---|---|
| 品牌 | KEMET(基美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 贴片电容(MLCC) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
CBR08C101J1GAC概述
采用铜电极BME(贱金属电极)系统, 在甚高频、超高频和微波频段提供超低ESR和高Q值。 低ESR允许更高的RF电流, 适用于蜂窝基站和电信网络等应用。 电容值随时间和电压无变化, 且相对于环境温度的电容变化可忽略不计。
CBR08C101J1GAC特性
暂无产品特性。
CBR08C101J1GAC应用领域
暂无应用领域。
