CAV24C16WE-GT3
IC
SOIC-8
可供量大可议
CAV24C16WE-GT3
CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件， 其内部结构分别为16页、32页、64页和128页， 每页16字节。 所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。 写入数据时， 需提供起始地址， 然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区， 再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
1,233
货期
现货
CAV24C16WE-GT3参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 1233 |
CAV24C16WE-GT3概述
CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件， 其内部结构分别为16页、32页、64页和128页， 每页16字节。 所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。 写入数据时， 需提供起始地址， 然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区， 再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器
CAV24C16WE-GT3特性
暂无产品特性。
CAV24C16WE-GT3应用领域
暂无应用领域。