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CA-IS3221BW
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IC

SOIC16-WB

CA-IS3221BW

品牌

Chipanalog

封装

SOIC16-WB

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—

CA-IS3221BW参数

封装SOIC16-WB
品牌Chipanalog(川土微)
MOQ / SPQ1 / 1
隔离电压(Vrms)5700V
通道数2
拉电流(IOH)5A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
下降时间(tf)12ns
传播延迟 tpHL100ns
输入低电平(VIL)0.8V~1.2V
CMTI(kV/us)100kV/us
功能特性死区时间控制
商品型号CA-IS3221BW
单位个
商品重量0.001045733
分类隔离式栅极驱动器
库存903
驱动配置半桥
负载类型IGBT; MOSFET
输入侧工作电压3V~18V
灌电流(IOL)6A
上升时间(tr)16ns
传播延迟 tpLH100ns
输入高电平(VIH)1.6V~2V
静态电流(Iq)2000uA
驱动侧工作电压10V~25V
商品名称6A灌电流/5A拉电流、5.7kVRMs隔离双通道栅极驱动器
包装方式编带
商品类型隔离式栅极驱动器

CA-IS3221BW概述

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器, 可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。 这些器件支持高速切换, 结合器件的超低传输延时(56ns, 典型值)、超低脉宽失真等优势, 使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择, 工作频率可达 5MHz, 适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。 所有器件采用川土特有的电容隔离技术, 在内部集成数字隔离器。 输入侧与驱动器输出侧通过二氧化硅 (SiO₂) 电容绝缘栅隔离, 提供高达 5.7kV_RMS (宽体 SOIC 封装) 的隔离耐压(UL1577 认证), 以及最小 100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)。 此外, 内部电路在二次侧(输出侧)的驱动器A 与驱动器 B 之间提供功能隔离, 可承受 1500V DC 工作电压。 CA-IS322x 系列栅极驱动器可以配置为双通道低边驱动、双通道高边驱动和半桥驱动, 提供可编程死区时间。 使能控制(CA-IS3222 的 EN 引脚)和禁止控制(CA-IS3221 的DIS 引脚)允许将驱动器 A 和驱动器 B 的输出快速拉至低电平, 关断外部功率晶体管。 另外, 当输入侧或输出侧电源未上电或开路、或低于 UVLO 门限时, 或当器件处于禁用状态时, 驱动器输出置于默认状态:低电平; 当输入信号开路时, 驱动器输出同样置于默认状态:低电平, 关断外部功率管。 CA-IS322x 输入侧电源 V_CCl 可接受 3V to 18V 供电范围, 输出侧电源 V_DD_ 可接受高达 25V 的供电电压。 提供 16引脚或 14 引脚宽体 SOIC 封装。 工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。

CA-IS3221BW特性

  • 灵活支持多种配置:双通道低边驱动、双通道高边驱动、半桥驱动支持 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动
  • 较宽的供电范围:输入侧 V_CCl 可接受 3V 至 18V 供电电压范围, 输出侧驱动电源 V_DD_ 可达 25V, 提供 6V、8V 和 12V 高精度 UVLO 可选
  • 确保匹配的传输延迟:56ns(典型值)传输延迟, 5ns (最大值)芯片间传输延迟偏差, 7ns (最大值)脉宽失真, 20ns (典型值)最小输入脉宽
  • 可编程死区时间
  • -40°C 至 +125°C 工作温度范围
  • 高度可靠的电气隔离:较长的绝缘栅寿命:> 40 年, 5.7kV_RMS (宽体封装)隔离耐压, 较高的共模瞬态抗扰度(CMTI):> ±100V/ns, 可承受 12.8kV 浪涌
  • 提供不同封装:宽体 SOIC16 (W)封装, 宽体 SOIC14 (K)封装
  • 安全认证:符合DIN V VDE V0884-17: 2021-10标准的8000V_PK 增强隔离耐压, 符合 UL1577 认证, 5.7 kV_RMS 隔离耐压 @1 分钟

CA-IS3221BW应用领域

  • 隔离型 DC-DC、AC-DC 转换器
  • 电机控制
  • LED 照明
  • 不间断电源(UPS)逆变器
  • HEV/EV 电池充电器

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